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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD50R399CP
IPD50R399CP Image
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IPD50R399CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD50R399CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD50R399CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD50R399CP.pdf
vorrätig: 4060

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Spezifikation

IPD50R399CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD50R399CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD50R399CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 330µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie CoolMOS™ CP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 4.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD50R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD50R399CP.

Produkteigenschaften IPD50R399CP IPD50R399CPATMA1 IPD50R500CEAUMA1 IPD50R520CPATMA1
Artikelnummer IPD50R399CP IPD50R399CPATMA1 IPD50R500CEAUMA1 IPD50R520CPATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IPD50R IPD50R IPD50R500 IPD50R520
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 PG-TO252-3-313
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 13V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 9A (Tc) 7.6A (Tc) 7.1A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie CoolMOS™ CP CoolMOS™ CP CoolMOS™ CE CoolMOS™ CP
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 330µA 3.5V @ 330µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 4.9A, 10V 399mOhm @ 4.9A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V 520mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 83W (Tc) 57W (Tc) 66W (Tc)

IPD50R399CP Datenblatt PDF

Laden Sie IPD50R399CP PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD50R399CP - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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