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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD60R360P7SAUMA1
IPD60R360P7SAUMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD60R360P7SAUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD60R360P7SAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD60R360P7SAUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD60R360P7SAUMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 64820

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Anzahl

Spezifikation

IPD60R360P7SAUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD60R360P7SAUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD60R360P7SAUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 2.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 41W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD60R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD60R360P7SAUMA1.

Produkteigenschaften IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380C6 IPD60R2K1CEBTMA1
Artikelnummer IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380C6 IPD60R2K1CEBTMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P6 CoolMOS™ C6 CoolMOS™ CE
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 10.6A (Tc) 10.6A (Tc) 2.3A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IPD60R IPD60R IPD60R IPD60R
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 400 V 877 pF @ 100 V 700 pF @ 100 V 140 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA 4.5V @ 320µA 3.5V @ 320µA 3.5V @ 60µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 6.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 2.7A, 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 41W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc) 22W (Tc)

IPD60R360P7SAUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD60R360P7SAUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD60R360P7SAUMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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