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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD60R600P6
IPD60R600P6 Image
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IPD60R600P6 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD60R600P6
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD60R600P6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD60R600P6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5460

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Anzahl

Spezifikation

IPD60R600P6 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD60R600P6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD60R600P6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie CoolMOS™ P6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 557 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD60R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD60R600P6.

Produkteigenschaften IPD60R600P6 IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600CP IPD60R650CEAUMA1
Artikelnummer IPD60R600P6 IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600CP IPD60R650CEAUMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 30W (Tc) 60W (Tc) 82W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-344
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 557 pF @ 100 V 363 pF @ 400 V 550 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IPD60R IPD60R IPD60R IPD60R
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc) 6A (Tc) 6.1A (Tc) 9.9A (Tc)
Serie CoolMOS™ P6 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CP CoolMOS™ CE
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 80µA 3.5V @ 220µA 3.5V @ 200µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V 600mOhm @ 1.7A, 10V 600mOhm @ 3.3A, 10V 650mOhm @ 2.4A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IPD60R600P6 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD60R600P6 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD60R600P6 - Infineon Technologies herunter.

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