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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD60R600P7SAUMA1
IPD60R600P7SAUMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD60R600P7SAUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD60R600P7SAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD60R600P7SAUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD60R600P7SAUMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 81580

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Anzahl

Spezifikation

IPD60R600P7SAUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD60R600P7SAUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD60R600P7SAUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 80µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 363 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD60R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD60R600P7SAUMA1.

Produkteigenschaften IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 IPD60R600E6 IPD60R600CP
Artikelnummer IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 IPD60R600E6 IPD60R600CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3-344 PG-TO252-3 PG-TO252-3-313
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CE CoolMOS™ E6 CoolMOS™ CP
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 80µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 220µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 363 pF @ 400 V 440 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 82W (Tc) 63W (Tc) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V 650mOhm @ 2.4A, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 600mOhm @ 3.3A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 9.9A (Tc) 7.3A (Tc) 6.1A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IPD60R IPD60R IPD60R IPD60R
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IPD60R600P7SAUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD60R600P7SAUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD60R600P7SAUMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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