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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIPG20N04S408ATMA1
Infineon Technologies
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IPG20N04S408ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPG20N04S408ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPG20N04S408ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IPG20N04S408ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37430

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Anzahl

Spezifikation

IPG20N04S408ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPG20N04S408ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPG20N04S408ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 30µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 17A, 10V  
Leistung - max 65W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IPG20N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPG20N04S408ATMA1.

Produkteigenschaften IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S4-08 IPG16N10S4L61AATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Artikelnummer IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S4-08 IPG16N10S4L61AATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 30µA 4V @ 30µA 2.1V @ 90µA 4V @ 22µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 40V 100V 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 17A, 10V 7.6mOhm @ 17A, 10V 61mOhm @ 16A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V 36nC @ 10V 11nC @ 10V 28nC @ 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8
Grundproduktnummer IPG20N IPG20N IPG16N10 IPG20N
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount
Leistung - max 65W 65W (Tc) 29W 54W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 25V 2940pF @ 25V 845pF @ 25V 2250pF @ 25V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™T2 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Merkmal - - Logic Level Gate -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A 20A (Tc) 16A 20A (Tc)

IPG20N04S408ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPG20N04S408ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPG20N04S408ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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