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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIPG16N10S4L61AATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPG16N10S4L61AATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPG16N10S4L61AATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPG16N10S4L61AATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IPG16N10S4L61AATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 79230

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Anzahl

Spezifikation

IPG16N10S4L61AATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPG16N10S4L61AATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPG16N10S4L61AATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 90µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-10  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V  
Leistung - max 29W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount, Wettable Flank  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IPG16N10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1.

Produkteigenschaften IPG16N10S4L61AATMA1 IPG20N04S409ATMA1 IPG15N06S3L-45 IPG20N04S408ATMA1
Artikelnummer IPG16N10S4L61AATMA1 IPG20N04S409ATMA1 IPG15N06S3L-45 IPG20N04S408ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 25V 2250pF @ 25V 1420pF @ 25V 2940pF @ 25V
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 90µA 4V @ 22µA 2.2V @ 10µA 4V @ 30µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 40V 55V 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V 45mOhm @ 10A, 10V 7.6mOhm @ 17A, 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V 28nC @ 10V 20nC @ 10V 36nC @ 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 29W 54W (Tc) 21W 65W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A 20A (Tc) 15A 20A
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Grundproduktnummer IPG16N10 IPG20N IPG15N IPG20N

IPG16N10S4L61AATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPG16N10S4L61AATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPG16N10S4L61AATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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