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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIPG20N04S4L11AATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPG20N04S4L11AATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPG20N04S4L11AATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPG20N04S4L11AATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IPG20N04S4L11AATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 69210

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Spezifikation

IPG20N04S4L11AATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPG20N04S4L11AATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPG20N04S4L11AATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-10  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V  
Leistung - max 41W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount, Wettable Flank  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IPG20N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPG20N04S4L11AATMA1.

Produkteigenschaften IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Artikelnummer IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A 20A 20A 20A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 40V 55V 40V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8
Befestigungsart Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V 50nC @ 10V 17nC @ 10V 28nC @ 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Grundproduktnummer IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V 3980pF @ 25V 560pF @ 25V 2250pF @ 25V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V 7.2mOhm @ 17A, 10V 50mOhm @ 15A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 41W 65W 51W 54W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA 2.2V @ 30µA 2V @ 19µA 4V @ 22µA

IPG20N04S4L11AATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPG20N04S4L11AATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPG20N04S4L11AATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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