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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIPG20N06S2L50ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPG20N06S2L50ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPG20N06S2L50ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPG20N06S2L50ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IPG20N06S2L50ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 98080

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Spezifikation

IPG20N06S2L50ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPG20N06S2L50ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPG20N06S2L50ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 19µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 15A, 10V  
Leistung - max 51W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IPG20N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPG20N06S2L50ATMA1.

Produkteigenschaften IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N06S3L-23 IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L65AATMA1
Artikelnummer IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N06S3L-23 IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L65AATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-10
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A 20A 20A 20A
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V 42nC @ 10V 29nC @ 10V 12nC @ 10V
Grundproduktnummer IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V 55V 60V 55V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V 2950pF @ 25V 2260pF @ 25V 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 15A, 10V 23mOhm @ 16A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V 65mOhm @ 15A, 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Leistung - max 51W 45W 50W 43W
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 19µA 2.2V @ 20µA 4V @ 20µA 2V @ 14µA

IPG20N06S2L50ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPG20N06S2L50ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPG20N06S2L50ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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