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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPI120N06S402AKSA2
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPI120N06S402AKSA2 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPI120N06S402AKSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPI120N06S402AKSA2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IPx120N06S4-02.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20466

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Spezifikation

IPI120N06S402AKSA2 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPI120N06S402AKSA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPI120N06S402AKSA2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 188W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15750 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IPI120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPI120N06S402AKSA2.

Produkteigenschaften IPI120N06S402AKSA2 IPI126N10N3G IPI120N08S404AKSA1 IPI180N10N3G
Artikelnummer IPI120N06S402AKSA2 IPI126N10N3G IPI120N08S404AKSA1 IPI180N10N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA 3.5V @ 46µA 4V @ 120µA -
Verlustleistung (max) 188W (Tc) 94W (Tc) 179W (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Grundproduktnummer IPI120 - IPI120N -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 80 V -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1 PG-TO262-3 PG-TO262-3-1 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 100A, 10V 12.6mOhm @ 46A, 10V 4.4mOhm @ 100A, 10V -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15750 pF @ 25 V 2500 pF @ 50 V 6450 pF @ 25 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 58A (Tc) 120A (Tc) -
Paket Tube Bulk Tube -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA -
FET-Merkmal - - - -

IPI120N06S402AKSA2 Datenblatt PDF

Laden Sie IPI120N06S402AKSA2 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPI120N06S402AKSA2 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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