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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPN70R600P7SATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPN70R600P7SATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPN70R600P7SATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IPN70R600P7S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 107290

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Anzahl

Spezifikation

IPN70R600P7SATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPN70R600P7SATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPN70R600P7SATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223  
Serie CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 6.9W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 364 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IPN70R600  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPN70R600P7SATMA1.

Produkteigenschaften IPN70R600P7SATMA1 IPN80R1K4P7 IPN70R1K5CE IPN80R2K0P7ATMA1
Artikelnummer IPN70R600P7SATMA1 IPN80R1K4P7 IPN70R1K5CE IPN80R2K0P7ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 364 pF @ 400 V 250 pF @ 500 V 225 pF @ 100 V 175 pF @ 500 V
Verlustleistung (max) 6.9W (Tc) 7W (Tc) 5W (Tc) 6.4W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.8A, 10V 1.4Ohm @ 1.4A, 10V 1.5Ohm @ 1A, 10V 2Ohm @ 940mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V 800 V 700 V 800 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A (Tc) 4A (Tc) 5.4A (Tc) 3A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P7
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223 PG-SOT223 PG-SOT223 PG-SOT223
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-3 TO-261-4, TO-261AA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IPN70R600 - - IPN80R2
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA 3.5V @ 70µA 3.5V @ 100µA 3.5V @ 50µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IPN70R600P7SATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPN70R600P7SATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPN70R600P7SATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021.pdf
Datenblätter
IPN70R600P7S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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