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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPN80R1K4P7
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPN80R1K4P7 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPN80R1K4P7
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPN80R1K4P7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IPN80R1K4P7.pdf
vorrätig: 5390

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Anzahl

Spezifikation

IPN80R1K4P7 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPN80R1K4P7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPN80R1K4P7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 500 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPN80R1K4P7.

Produkteigenschaften IPN80R1K4P7 IXTP48N20T IPN80R2K0P7ATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1
Artikelnummer IPN80R1K4P7 IXTP48N20T IPN80R2K0P7ATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1
Hersteller Infineon Technologies IXYS Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-220-3 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 200 V 800 V 700 V
Verlustleistung (max) 7W (Tc) 250W (Tc) 6.4W (Tc) 6.3W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223 TO-220-3 PG-SOT223 PG-SOT223
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 500 V 3000 pF @ 25 V 175 pF @ 500 V 174 pF @ 400 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 4.8 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 48A (Tc) 3A (Tc) 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V 50mOhm @ 24A, 10V 2Ohm @ 940mA, 10V 1.2Ohm @ 900mA, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA 4.5V @ 250µA 3.5V @ 50µA 3.5V @ 40µA
Serie CoolMOS™ Trench CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7
Paket Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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