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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP100N06S3L-03
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IPP100N06S3L-03 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP100N06S3L-03
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP100N06S3L-03
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPB(I,P)100N06S3L-03.pdf
vorrätig: 3960

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Spezifikation

IPP100N06S3L-03 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP100N06S3L-03 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP100N06S3L-03

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 230µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26240 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 550 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP100N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP100N06S3L-03.

Produkteigenschaften IPP100N06S3L-03 IPP100P03P3L-04 IPP100N06S2L-05 PN06L05 IPP100N06S2L-05
Artikelnummer IPP100N06S3L-03 IPP100P03P3L-04 IPP100N06S2L-05 PN06L05 IPP100N06S2L-05
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 30 V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26240 pF @ 25 V 9300 pF @ 25 V - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ - -
Vgs (Max) ±16V +5V, -16V - -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 80A, 10V 4.3mOhm @ 80A, 10V - -
Typ FET N-Channel P-Channel - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 - -
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 200W (Tc) - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 230µA 2.1V @ 475µA - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 550 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V - -
Grundproduktnummer IPP100N IPP100P - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) - -
Paket Tube Tube - -

IPP100N06S3L-03 Datenblatt PDF

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Part Number Guide.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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