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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP100P03P3L-04
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IPP100P03P3L-04 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP100P03P3L-04
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP100P03P3L-04
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPx100P03P3L-04.pdf
vorrätig: 4670

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Spezifikation

IPP100P03P3L-04 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP100P03P3L-04 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP100P03P3L-04

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 475µA  
Vgs (Max) +5V, -16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP100P  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP100P03P3L-04.

Produkteigenschaften IPP100P03P3L-04 IPP100N06S3L-03 IPP10N03 IPP110N20N3G
Artikelnummer IPP100P03P3L-04 IPP100N06S3L-03 IPP10N03 IPP110N20N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
FET-Merkmal - - - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ - -
Grundproduktnummer IPP100P IPP100N - -
Typ FET P-Channel N-Channel - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 80A, 10V 3mOhm @ 80A, 10V - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 475µA 2.2V @ 230µA - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 550 nC @ 10 V - -
Paket Tube Tube - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 - -
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 300W (Tc) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) - -
Vgs (Max) +5V, -16V ±16V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 55 V - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9300 pF @ 25 V 26240 pF @ 25 V - -

IPP100P03P3L-04 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP100P03P3L-04 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP100P03P3L-04 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
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Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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