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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP120N20NFDAKSA1
IPP120N20NFDAKSA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPP120N20NFDAKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP120N20NFDAKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP120N20NFDAKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP120N20NFDAKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7437

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Anzahl

Spezifikation

IPP120N20NFDAKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP120N20NFDAKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP120N20NFDAKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 84A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6650 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 84A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP120N20NFDAKSA1.

Produkteigenschaften IPP120N20NFDAKSA1 IPP120P04P4L03AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 IPP126N10N3G
Artikelnummer IPP120N20NFDAKSA1 IPP120P04P4L03AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 IPP126N10N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Serie OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc) 94W (Tc)
Grundproduktnummer IPP120 IPP120 IPP120P -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 84A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.8mOhm @ 100A, 10V 12.6mOhm @ 46A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 2.2V @ 340µA 4V @ 340µA 3.5V @ 46µA
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 84A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 58A (Tc)
Paket Tube Tube Tube -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 40 V 40 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6650 pF @ 100 V 15000 pF @ 25 V 14790 pF @ 25 V 2500 pF @ 50 V

IPP120N20NFDAKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP120N20NFDAKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP120N20NFDAKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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