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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP120P04P404AKSA1
IPP120P04P404AKSA1 Image
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IPP120P04P404AKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP120P04P404AKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP120P04P404AKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPx120P04P4-04.pdf
vorrätig: 4020

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Spezifikation

IPP120P04P404AKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP120P04P404AKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP120P04P404AKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 340µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 136W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14790 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP120P  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP120P04P404AKSA1.

Produkteigenschaften IPP120P04P404AKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 IPP126N10N3G IPP120P04P4L03AKSA1
Artikelnummer IPP120P04P404AKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 IPP126N10N3G IPP120P04P4L03AKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Verlustleistung (max) 136W (Tc) 300W (Tc) 94W (Tc) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ - Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 200 V 100 V 40 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 100A, 10V 12mOhm @ 84A, 10V 12.6mOhm @ 46A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 340µA 4V @ 270µA 3.5V @ 46µA 2.2V @ 340µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 84A (Tc) 58A (Tc) 120A (Tc)
Grundproduktnummer IPP120P IPP120 - IPP120
Paket Tube Tube - Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14790 pF @ 25 V 6650 pF @ 100 V 2500 pF @ 50 V 15000 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -

IPP120P04P404AKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP120P04P404AKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP120P04P404AKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IPx120P04P4-04.pdf

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