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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPT60R125G7XTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPT60R125G7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPT60R125G7XTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSFN
Datenblatt
IPT60R125G7XTMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10419

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Anzahl

Spezifikation

IPT60R125G7XTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPT60R125G7XTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPT60R125G7XTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 320µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-2  
Serie CoolMOS™ G7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 6.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 120W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer IPT60R125  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPT60R125G7XTMA1.

Produkteigenschaften IPT60R125G7XTMA1 IPT65R195G7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1
Artikelnummer IPT60R125G7XTMA1 IPT65R195G7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-2
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 320µA 4V @ 240µA 4.5V @ 760µA 4V @ 260µA
Verlustleistung (max) 120W (Tc) 97W (Tc) 236W (Tc) 106W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 600 V 600 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 6.4A, 10V 195mOhm @ 4.8A, 10V 55mOhm @ 15.1A, 10V 150mOhm @ 5.3A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 14A (Tc) 44A (Tc) 17A (Tc)
Grundproduktnummer IPT60R125 IPT65R195 IPT60R055 IPT60R150
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie CoolMOS™ G7 CoolMOS™ C7 CoolMOS™ CFD7 CoolMOS™ G7
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 400 V 996 pF @ 400 V 2721 pF @ 400 V 902 pF @ 400 V

IPT60R125G7XTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPT60R125G7XTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPT60R125G7XTMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
PCN -Design/Spezifikation
CoolIMOS DS Chg 11/Dec/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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