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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPT65R195G7XTMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPT65R195G7XTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPT65R195G7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPT65R195G7XTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSFN
Datenblatt
IPT65R195G7XTMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21762

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Anzahl

Spezifikation

IPT65R195G7XTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPT65R195G7XTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPT65R195G7XTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 240µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-2  
Serie CoolMOS™ C7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 4.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 97W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 996 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer IPT65R195  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPT65R195G7XTMA1.

Produkteigenschaften IPT65R195G7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R050G7XTMA1 IPT60R035CFD7XTMA1
Artikelnummer IPT65R195G7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R050G7XTMA1 IPT60R035CFD7XTMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 240µA 4V @ 320µA 4V @ 800µA 4.5V @ 1.25mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 97W (Tc) 120W (Tc) 245W (Tc) 351W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 4.8A, 10V 125mOhm @ 6.4A, 10V 50mOhm @ 15.9A, 10V 35mOhm @ 24.9A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 996 pF @ 400 V 1080 pF @ 400 V 2670 pF @ 400 V 4354 pF @ 400 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7 CoolMOS™ G7 CoolMOS™ G7 CoolMOS™ CFD7
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 20A (Tc) 44A (Tc) 67A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IPT65R195 IPT60R125 IPT60R050 IPT60R035
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IPT65R195G7XTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPT65R195G7XTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPT65R195G7XTMA1 - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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