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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies
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IPW60R075CPFKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPW60R075CPFKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPW60R075CPFKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IPW60R075CPFKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5051

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Spezifikation

IPW60R075CPFKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPW60R075CPFKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPW60R075CPFKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.7mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 26A, 10V  
Verlustleistung (max) 313W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Tc)  
Grundproduktnummer IPW60R075  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPW60R075CPFKSA1.

Produkteigenschaften IPW60R075CPFKSA1 IPW60R070CFD7XKSA1 IPW60R099C7 IPW60R070P6
Artikelnummer IPW60R075CPFKSA1 IPW60R070CFD7XKSA1 IPW60R099C7 IPW60R070P6
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Bulk Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.7mA 4.5V @ 760µA 4V @ 490µA 4.5V @ 1.72mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 600 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CFD7 CoolMOS™ C7 CoolMOS™
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 313W (Tc) 156W (Tc) 110W (Tc) 391W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3-1 PG-TO247-3-21 PG-TO247 PG-TO247-3
Grundproduktnummer IPW60R075 IPW60R070 - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 26A, 10V 70mOhm @ 15.1A, 10V 99mOhm @ 9.7A, 10V 70mOhm @ 20.6A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Tc) 31A (Tc) 22A (Tc) 53.5A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 100 V 2721 pF @ 400 V 1819 pF @ 400 V 4750 pF @ 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IPW60R075CPFKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPW60R075CPFKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPW60R075CPFKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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