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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPW60R099C7
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPW60R099C7 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPW60R099C7
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPW60R099C7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 22A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IPW60R099C7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4240

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Anzahl

Spezifikation

IPW60R099C7 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPW60R099C7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPW60R099C7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 490µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247  
Serie CoolMOS™ C7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 9.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1819 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPW60R099C7.

Produkteigenschaften IPW60R099C7 IPW60R099CP IPW60R075CPFKSA1 IPW60R099P6XKSA1
Artikelnummer IPW60R099C7 IPW60R099CP IPW60R075CPFKSA1 IPW60R099P6XKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Bulk - Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1819 pF @ 400 V 2800 pF @ 100 V 4000 pF @ 100 V 3330 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 9.7A, 10V 99mOhm @ 18A, 10V 75mOhm @ 26A, 10V 99mOhm @ 14.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 650 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 31A (Tc) 39A (Tc) 37.9A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie CoolMOS™ C7 - CoolMOS™ CoolMOS™ P6
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 255W (Tc) 313W (Tc) 278W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247 PG-TO247-3 PG-TO247-3-1 PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 116 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 490µA 3.5V @ 1.2mA 3.5V @ 1.7mA 4.5V @ 1.21mA

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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