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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPW60R120P7
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPW60R120P7 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPW60R120P7
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPW60R120P7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IPW60R120P7.pdf
vorrätig: 5210

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Spezifikation

IPW60R120P7 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPW60R120P7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPW60R120P7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 410µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 8.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 95W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1544 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPW60R120P7.

Produkteigenschaften IPW60R120P7 IPW60R125CP IPW60R165CP IPW60R099P7XKSA1
Artikelnummer IPW60R120P7 IPW60R125CP IPW60R165CP IPW60R099P7XKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 25A (Tc) - 31A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3 PG-TO247-3-21 - PG-TO247-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bulk Bulk - Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V - 600 V
Verlustleistung (max) 95W (Tc) 208W (Tc) - 117W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 8.2A, 10V 125mOhm @ 16A, 10V - 99mOhm @ 10.5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 410µA 3.5V @ 1.1mA - 4V @ 530µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1544 pF @ 400 V 2500 pF @ 100 V - 1952 pF @ 400 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 - TO-247-3
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V - 45 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Through Hole
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ - CoolMOS™ P7

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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