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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPW60R099P7XKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPW60R099P7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPW60R099P7XKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IPW60R099P7XKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9431

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Anzahl

Spezifikation

IPW60R099P7XKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPW60R099P7XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPW60R099P7XKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 530µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3  
Serie CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 10.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 117W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1952 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  
Grundproduktnummer IPW60R099  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPW60R099P7XKSA1.

Produkteigenschaften IPW60R099P7XKSA1 IPW60R099CPA IPW60R125CP IPW60R099P6XKSA1
Artikelnummer IPW60R099P7XKSA1 IPW60R099CPA IPW60R125CP IPW60R099P6XKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Serie CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P6
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1952 pF @ 400 V 2800 pF @ 100 V 2500 pF @ 100 V 3330 pF @ 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 25A (Tc) 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 10.5A, 10V 105mOhm @ 18A, 10V 125mOhm @ 16A, 10V 99mOhm @ 14.5A, 10V
Verlustleistung (max) 117W (Tc) 255W (Tc) 208W (Tc) 278W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3 PG-TO247-3-41 PG-TO247-3-21 PG-TO247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer IPW60R099 - - IPW60R099
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 530µA 3.5V @ 1.2mA 3.5V @ 1.1mA 4.5V @ 1.21mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -

IPW60R099P7XKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPW60R099P7XKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPW60R099P7XKSA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chgs 3/Nov/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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