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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPZ65R065C7XKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPZ65R065C7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPZ65R065C7XKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-4
Datenblatt
IPZ65R065C7XKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7350

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Anzahl

Spezifikation

IPZ65R065C7XKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPZ65R065C7XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPZ65R065C7XKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-4  
Serie CoolMOS™ C7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 17.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 171W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-4  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  
Grundproduktnummer IPZ65R065  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPZ65R065C7XKSA1.

Produkteigenschaften IPZ65R065C7XKSA1 IPZ60R060C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Artikelnummer IPZ65R065C7XKSA1 IPZ60R060C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IPZ65R065 IPZ60R060 IPZ65R045 IPZ40N04
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 35A (Tc) 46A (Tc) 40A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 400 V 2850 pF @ 400 V 4340 pF @ 400 V 920 pF @ 25 V
Serie CoolMOS™ C7 CoolMOS™ C7 CoolMOS™ C7 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 650 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 17.1A, 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V 45mOhm @ 24.9A, 10V 7.4mOhm @ 20A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-4 TO-247-4 TO-247-4 8-PowerVDFN
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 171W (Tc) 162W (Tc) 227W (Tc) 34W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-4 PG-TO247-4 PG-TO247 PG-TSDSON-8
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA 4V @ 800µA 4V @ 1.25mA 2V @ 10µA

IPZ65R065C7XKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPZ65R065C7XKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPZ65R065C7XKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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