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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2132S
IR2132S Image
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IR2132S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2132S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2132S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
vorrätig: 11950

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Anzahl

Spezifikation

IR2132S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2132S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2132S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom 3-Phase  
Grundproduktnummer IR2132  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2132S.

Produkteigenschaften IR2132S IR2133PBF IR2133 IR2133JPBF
Artikelnummer IR2132S IR2133PBF IR2133 IR2133JPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC 28-PDIP 28-PDIP 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Eingabetyp Inverting Inverting Inverting Inverting
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ) 125°C (TJ) 125°C (TJ)
Anzahl der Treiber 6 6 6 6
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Paket Tube Tube Tube Tube
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Serie - - - -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 35ns 90ns, 40ns 90ns, 40ns 90ns, 40ns
Ladestrom 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 28-DIP (0.600", 15.24mm) 28-DIP (0.600', 15.24mm) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Grundproduktnummer IR2132 IR2133 IR2133 IR2133
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V

IR2132S Datenblatt PDF

Laden Sie IR2132S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2132S - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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