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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2132SPBF
IR2132SPBF Image
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IR2132SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2132SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2132SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Datenblatt
IR2130JTRPBF Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6384

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Anzahl

Spezifikation

IR2132SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2132SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2132SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom 3-Phase  
Grundproduktnummer IR2132  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2132SPBF.

Produkteigenschaften IR2132SPBF IR2133 IR2132JTR IR2132STRPBF
Artikelnummer IR2132SPBF IR2133 IR2132JTR IR2132STRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Inverting Inverting Inverting Inverting
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC 28-PDIP 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 28-SOIC
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 28-DIP (0.600', 15.24mm) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Anzahl der Treiber 6 6 6 6
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Serie - - - -
Grundproduktnummer IR2132 IR2133 IR2132 IR2132
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Ladestrom 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 35ns 90ns, 40ns 80ns, 35ns 80ns, 35ns

IR2132SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2132SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2132SPBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Verpackung
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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