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IR2133SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2133SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2133SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
IR2133SPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5320

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Anzahl

Spezifikation

IR2133SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2133SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2133SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 90ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom 3-Phase  
Grundproduktnummer IR2133  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2133SPBF.

Produkteigenschaften IR2133SPBF IR2133STRPBF IR2135S IR2133JPBF
Artikelnummer IR2133SPBF IR2133STRPBF IR2135S IR2133JPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer IR2133 IR2133 IR2135 IR2133
Anzahl der Treiber 6 6 6 6
Betriebstemperatur 125°C (TJ) 125°C (TJ) 125°C (TJ) 125°C (TJ)
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 90ns, 40ns 90ns, 40ns 90ns, 40ns 90ns, 40ns
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Ladestrom 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC 28-SOIC 28-SOIC 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Eingabetyp Inverting Inverting Inverting Inverting

IR2133SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2133SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2133SPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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