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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2135S
IR2135S Image
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IR2135S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2135S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2135S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
IR2135S.pdf
vorrätig: 4350

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Anzahl

Spezifikation

IR2135S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2135S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2135S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 90ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom 3-Phase  
Grundproduktnummer IR2135  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2135S.

Produkteigenschaften IR2135S IR2135JTRPBF IR2135STRPBF IR21362J
Artikelnummer IR2135S IR2135JTRPBF IR2135STRPBF IR21362J
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie - - - -
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 3V
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 28-SOIC 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 200mA, 350mA
Grundproduktnummer IR2135 IR2135 IR2135 IR21362
Ladestrom 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 90ns, 40ns 90ns, 40ns 90ns, 40ns 125ns, 50ns
Eingabetyp Inverting Inverting Inverting Inverting, Non-Inverting
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 11.5V ~ 20V
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Betriebstemperatur 125°C (TJ) 125°C (TJ) 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Anzahl der Treiber 6 6 6 6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IR2135S Datenblatt PDF

Laden Sie IR2135S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2135S - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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