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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF1018ESTRLPBF
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IRF1018ESTRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF1018ESTRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF1018ESTRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF1018ESTRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29473

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Anzahl

Spezifikation

IRF1018ESTRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF1018ESTRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF1018ESTRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 79A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF1018  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF1018ESTRLPBF.

Produkteigenschaften IRF1018ESTRLPBF IRF1104LPBF IRF1018ESLPBF IRF1104PBF
Artikelnummer IRF1018ESTRLPBF IRF1104LPBF IRF1018ESLPBF IRF1104PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRF1018 - - IRF1104
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 110W (Tc) - 110W (Tc) 170W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 79A (Tc) 100A (Tc) 79A (Tc) 100A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-262 TO-262 TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 60 V 40 V

IRF1018ESTRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF1018ESTRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF1018ESTRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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