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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF1104LPBF
Infineon Technologies
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IRF1104LPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF1104LPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF1104LPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRF1104LPBF.pdf
vorrätig: 4450

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Spezifikation

IRF1104LPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF1104LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF1104LPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 60A, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF1104LPBF.

Produkteigenschaften IRF1104LPBF IRF1104PBF IRF1018EPBF IRF1104S
Artikelnummer IRF1104LPBF IRF1104PBF IRF1018EPBF IRF1104S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-220AB TO-220AB D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 60A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 79A (Tc) 100A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRF1104LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF1104LPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF1104LPBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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