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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF1607PBF
International Rectifier
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IRF1607PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF1607PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF1607PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF1607PBF.pdf
vorrätig: 4990

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Anzahl

Spezifikation

IRF1607PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF1607PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF1607PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 85A, 10V  
Verlustleistung (max) 380W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7750 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 142A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF1607PBF.

Produkteigenschaften IRF1607PBF IRF1902TRPBF IRF1607 IRF1704
Artikelnummer IRF1607PBF IRF1902TRPBF IRF1607 IRF1704
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7750 pF @ 25 V 310 pF @ 15 V 7750 pF @ 25 V 6950 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 85A, 10V 85mOhm @ 4A, 4.5V 7.5mOhm @ 85A, 10V 4mOhm @ 100A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V 7.5 nC @ 4.5 V 320 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 380W (Tc) 2.5W (Ta) 380W (Tc) 230W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 700mV @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB 8-SO TO-220AB TO-220AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 20 V 75 V 40 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 142A (Tc) 4.2A (Ta) 142A (Tc) 170A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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