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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF1704
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IRF1704 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF1704
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF1704
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 170A TO220AB
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF1704.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4380

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Spezifikation

IRF1704 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF1704 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF1704

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF1704.

Produkteigenschaften IRF1704 IRF1607PBF IRF1902GTRPBF IRF1607
Artikelnummer IRF1704 IRF1607PBF IRF1902GTRPBF IRF1607
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB 8-SO TO-220AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 25 V 7750 pF @ 25 V 310 pF @ 15 V 7750 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 75 V 20 V 75 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) 142A (Tc) 4.2A (Ta) 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 100A, 10V 7.5mOhm @ 85A, 10V 85mOhm @ 4A, 4.5V 7.5mOhm @ 85A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 7.5 nC @ 4.5 V 320 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 380W (Tc) - 380W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 700mV @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRF1704 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF1704 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF1704 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRF1704.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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