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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF200B211
IRF200B211 Image
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IRF200B211 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF200B211
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF200B211
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF200B211.pdf
RoHS Status
vorrätig: 69080

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Anzahl

Spezifikation

IRF200B211 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF200B211 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF200B211

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 7.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF200B211.

Produkteigenschaften IRF200B211 IRF200S234 IRF1902GTRPBF IRF200P223
Artikelnummer IRF200B211 IRF200S234 IRF1902GTRPBF IRF200P223
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 417W (Tc) - 313W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 162 nC @ 10 V 7.5 nC @ 4.5 V 102 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 20 V 200 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET® StrongIRFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V 6484 pF @ 50 V 310 pF @ 15 V 5094 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA 5V @ 250µA 700mV @ 250µA 4V @ 270µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IRF200 - - IRF200
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 7.2A, 10V 16.9mOhm @ 51A, 10V 85mOhm @ 4A, 4.5V 11.5mOhm @ 60A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 90A 4.2A (Ta) 100A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB PG-TO263-3 8-SO TO-247AC
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole

IRF200B211 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF200B211 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF200B211 - Infineon Technologies herunter.

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