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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF200P222
IRF200P222 Image
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IRF200P222 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF200P222
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF200P222
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRF200P222.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6762

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Anzahl

Spezifikation

IRF200P222 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF200P222 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF200P222

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 82A, 10V  
Verlustleistung (max) 556W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9820 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 203 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 182A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF200P222.

Produkteigenschaften IRF200P222 IRF200B211 IRF200S234 IRF1902TRPBF
Artikelnummer IRF200P222 IRF200B211 IRF200S234 IRF1902TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-220AB PG-TO263-3 8-SO
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 556W (Tc) 80W (Tc) 417W (Tc) 2.5W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 203 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 162 nC @ 10 V 7.5 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4.9V @ 50µA 5V @ 250µA 700mV @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 20 V
Serie StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 182A (Tc) 12A (Tc) 90A 4.2A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9820 pF @ 50 V 790 pF @ 50 V 6484 pF @ 50 V 310 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 82A, 10V 170mOhm @ 7.2A, 10V 16.9mOhm @ 51A, 10V 85mOhm @ 4A, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 2.7V, 4.5V
Grundproduktnummer IRF200 IRF200 - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF200P222 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF200P222 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF200P222 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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