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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF2804LPBF
Infineon Technologies
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IRF2804LPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF2804LPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF2804LPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 75A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRF2804LPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22089

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Anzahl

Spezifikation

IRF2804LPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF2804LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF2804LPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF2804  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF2804LPBF.

Produkteigenschaften IRF2804LPBF IRF250P224 IRF250P225 IRF2804PBF
Artikelnummer IRF2804LPBF IRF250P224 IRF250P225 IRF2804PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 75A, 10V 12mOhm @ 58A, 10V 22mOhm @ 41A, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V 9915 pF @ 50 V 4897 pF @ 50 V 6450 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer IRF2804 IRF250 IRF250 IRF2804
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 313W (Tc) 313W (Tc) 300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-247AC TO-247AC TO-220AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 203 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 250 V 250 V 40 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 96A (Tc) 69A (Tc) 75A (Tc)
Serie HEXFET® StrongIRFET™ StrongIRFET™ HEXFET®

IRF2804LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF2804LPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF2804LPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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