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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF2804SPBF
IRF2804SPBF Image
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IRF2804SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF2804SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF2804SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF2804SPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3620

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Anzahl

Spezifikation

IRF2804SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF2804SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF2804SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF2804SPBF.

Produkteigenschaften IRF2804SPBF IRF2804PBF IRF2804STRL-7P IRF2804LPBF
Artikelnummer IRF2804SPBF IRF2804PBF IRF2804STRL-7P IRF2804LPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB D2PAK (7-Lead) TO-262
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 300W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 160A (Tc) 75A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -

IRF2804SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF2804SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF2804SPBF - Infineon Technologies herunter.

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