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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF2807Z
IRF2807Z Image
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IRF2807Z - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF2807Z
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF2807Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF2807Z(S,L).pdf
vorrätig: 4030

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Anzahl

Spezifikation

IRF2807Z Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF2807Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF2807Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V  
Verlustleistung (max) 170W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF2807Z.

Produkteigenschaften IRF2807Z IRF2807STRRPBF IRF2807ZLPBF IRF2807ZS
Artikelnummer IRF2807Z IRF2807STRRPBF IRF2807ZLPBF IRF2807ZS
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 82A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 75 V 75 V 75 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 170W (Tc) 230W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-262 D2PAK
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount

IRF2807Z Datenblatt PDF

Laden Sie IRF2807Z PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF2807Z - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRF2807Z(S,L).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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