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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF2807ZPBF
IRF2807ZPBF Image
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IRF2807ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF2807ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF2807ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF2807ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34440

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Anzahl

Spezifikation

IRF2807ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF2807ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF2807ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V  
Verlustleistung (max) 170W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF2807  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF2807ZPBF.

Produkteigenschaften IRF2807ZPBF IRF2807S IRF2807ZSPBF IRF2903ZPBF
Artikelnummer IRF2807ZPBF IRF2807S IRF2807ZSPBF IRF2903ZPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 6320 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK PG-TO263-3-2 TO-220AB
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Paket Tube Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 75 V 75 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 170W (Tc) 230W (Tc) 170W (Tc) 290W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Grundproduktnummer IRF2807 - - IRF2903
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 82A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)

IRF2807ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF2807ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF2807ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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