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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF2903ZPBF
IRF2903ZPBF Image
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IRF2903ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF2903ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF2903ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF2903ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19964

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Anzahl

Spezifikation

IRF2903ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF2903ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF2903ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 290W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF2903  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF2903ZPBF.

Produkteigenschaften IRF2903ZPBF IRF2807ZS IRF2807ZSPBF IRF2903ZSPBF
Artikelnummer IRF2903ZPBF IRF2807ZS IRF2807ZSPBF IRF2903ZSPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IRF2903 - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK PG-TO263-3-2 D2PAK
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 75 V 75 V 30 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 290W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) 231W (Tc)

IRF2903ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF2903ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF2903ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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