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IRF3708S Image
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IRF3708S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF3708S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF3708S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF3708S.pdf
vorrätig: 3670

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Anzahl

Spezifikation

IRF3708S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF3708S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF3708S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 87W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2417 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF3708S.

Produkteigenschaften IRF3708S IRF3709 IRF3708 IRF3709LPBF
Artikelnummer IRF3708S IRF3709 IRF3708 IRF3709LPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2417 pF @ 15 V 2672 pF @ 16 V 2417 pF @ 15 V 2672 pF @ 16 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 41 nC @ 5 V 24 nC @ 4.5 V 41 nC @ 5 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 87W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 87W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V 4.5V, 10V 2.8V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB TO-220AB TO-262
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc) 90A (Tc) 62A (Tc) 90A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V

IRF3708S Datenblatt PDF

Laden Sie IRF3708S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF3708S - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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