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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF3708
IRF3708 Image
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IRF3708 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF3708
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF3708
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF3708.pdf
vorrätig: 4740

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Anzahl

Spezifikation

IRF3708 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF3708 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF3708

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 87W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2417 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF3708.

Produkteigenschaften IRF3708 IRF3707ZL IRF3707ZSPBF IRF3707ZCS
Artikelnummer IRF3708 IRF3707ZL IRF3707ZSPBF IRF3707ZCS
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 10V 9.5mOhm @ 21A, 10V 9.5mOhm @ 21A, 10V 9.5mOhm @ 21A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2417 pF @ 15 V 1210 pF @ 15 V 1210 pF @ 15 V 1210 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 25µA 2.25V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 87W (Tc) 57W (Tc) 57W (Tc) 57W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc) 59A (Tc) 59A (Tc) 59A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-262 D2PAK D2PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Tube Tube Tube Tube

IRF3708 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF3708 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF3708 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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