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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF3710ZSTRRPBF
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IRF3710ZSTRRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF3710ZSTRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF3710ZSTRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF3710Z(S,L)PbF.pdf
vorrätig: 4770

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Spezifikation

IRF3710ZSTRRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF3710ZSTRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF3710ZSTRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF3710ZSTRRPBF.

Produkteigenschaften IRF3710ZSTRRPBF IRF3711 IRF3710ZSPBF IRF3711STRLPBF
Artikelnummer IRF3710ZSTRRPBF IRF3711 IRF3710ZSPBF IRF3711STRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 2980 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V 2980 pF @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A (Tc) 110A (Tc) 59A (Tc) 110A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB D2PAK D2PAK
Verlustleistung (max) 160W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 160W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 18mOhm @ 35A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 44 nC @ 4.5 V 120 nC @ 10 V 44 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 20 V 100 V 20 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA

IRF3710ZSTRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF3710ZSTRRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF3710ZSTRRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF3710Z(S,L)PbF.pdf

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