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IRF3711STRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF3711STRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF3711STRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF3711STRL.pdf
vorrätig: 4240

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Anzahl

Spezifikation

IRF3711STRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF3711STRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF3711STRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 120W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF3711STRL.

Produkteigenschaften IRF3711STRL IRF3711ZCL IRF3711ZCS IRF3710ZSTRLPBF
Artikelnummer IRF3711STRL IRF3711ZCL IRF3711ZCS IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc) 92A (Tc) 92A (Tc) 59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-262 D2PAK D2PAK
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.45V @ 250µA 2.45V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 18mOhm @ 35A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 10 V 2150 pF @ 10 V 2150 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 120 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRF3711STRL Datenblatt PDF

Laden Sie IRF3711STRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF3711STRL - Infineon Technologies herunter.

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IR Part Numbering System.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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