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IRF5800TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF5800TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF5800TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
IRF5800PbF.pdf
vorrätig: 4980

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Spezifikation

IRF5800TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF5800TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF5800TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(TSOP-6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF5800TRPBF.

Produkteigenschaften IRF5800TRPBF IRF5802TRPBF IRF5803D2TR IRF5803D2PBF
Artikelnummer IRF5800TRPBF IRF5802TRPBF IRF5803D2TR IRF5803D2PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 5.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) 8-SO 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 150 V 40 V 40 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 25 V 88 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 6.8 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 4A, 10V 1.2Ohm @ 540mA, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 900mA (Ta) 3.4A (Ta) 3.4A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® FETKY™ FETKY™
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRF5800TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF5800TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF5800TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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