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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF6156
Infineon Technologies
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IRF6156 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6156
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6156
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-FlipFet™
Datenblatt
IRF6156.pdf
vorrätig: 4650

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Anzahl

Spezifikation

IRF6156 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6156 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6156

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-FlipFet™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Leistung - max 2.5W  
Verpackung / Gehäuse 6-FlipFet™  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF615  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6156.

Produkteigenschaften IRF6156 IRF614 IRF611 IRF620
Artikelnummer IRF6156 IRF614 IRF611 IRF620
Hersteller Infineon Technologies Harris Corporation Harris Corporation Vishay Siliconix
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - - -
Paket Bulk Bulk Bulk Tube
Grundproduktnummer IRF615 IRF614 - IRF620
Supplier Device-Gehäuse 6-FlipFet™ TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V 140 pF @ 25 V 135 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Leistung - max 2.5W - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6.5A, 4.5V 2Ohm @ 1.6A, 10V 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A 2.7A (Tc) 3.3A (Tc) 5.2A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 250 V 150 V 200 V
Verpackung / Gehäuse 6-FlipFet™ TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie - - - -

IRF6156 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6156 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6156 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRF6156.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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