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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF614
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF614 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF614
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF614
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF614.pdf
vorrätig: 3630

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Anzahl

Spezifikation

IRF614 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF614 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF614

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 36W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF614  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF614.

Produkteigenschaften IRF614 IRF614 IRF613 IRF614PBF
Artikelnummer IRF614 IRF614 IRF613 IRF614PBF
Hersteller Vishay Siliconix Harris Corporation Harris Corporation Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V 2Ohm @ 1.6A, 10V 2.4Ohm @ 1.6A, 10V 2Ohm @ 1.6A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 135 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRF614 IRF614 - IRF614
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 150 V 250 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Tc) 2.7A (Tc) 2.6A (Tc) 2.7A (Tc)
Verlustleistung (max) 36W (Tc) 36W (Tc) 43W (Tc) 36W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB

IRF614 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF614 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF614 - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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