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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6609
Infineon Technologies
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IRF6609 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6609
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6609
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MT
Datenblatt
IRF6609.pdf
vorrätig: 4720

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Anzahl

Spezifikation

IRF6609 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6609 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6609

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MT  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 31A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MT  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6290 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Ta), 150A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6609.

Produkteigenschaften IRF6609 IRF6609TRPBF IRF6608TR1 IRF6607
Artikelnummer IRF6609 IRF6609TRPBF IRF6608TR1 IRF6607
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6290 pF @ 10 V 6290 pF @ 10 V 2120 pF @ 15 V 6930 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 4.5 V 69 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric ST DirectFET™ Isometric MT
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ ST DIRECTFET™ MT
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Ta), 150A (Tc) 31A (Ta), 150A (Tc) 13A (Ta), 55A (Tc) 27A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 7V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 31A, 10V 2mOhm @ 31A, 10V 9mOhm @ 13A, 10V 3.3mOhm @ 25A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 89W (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA 2.45V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA

IRF6609 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6609 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6609 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF6609.pdf

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