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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6611TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF6611TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6611TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6611TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6611(TR)PbF.pdf
vorrätig: 5360

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Spezifikation

IRF6611TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6611TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6611TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 27A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.9W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4860 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Ta), 150A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6611TRPBF.

Produkteigenschaften IRF6611TRPBF IRF6612TRPBF IRF6610TR1PBF IRF6613TR1PBF
Artikelnummer IRF6611TRPBF IRF6612TRPBF IRF6610TR1PBF IRF6613TR1PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Ta), 150A (Tc) 24A (Ta), 136A (Tc) 15A (Ta), 66A (Tc) 23A (Ta), 150A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4860 pF @ 15 V 3970 pF @ 15 V 1520 pF @ 10 V 5950 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 27A, 10V 3.3mOhm @ 24A, 10V 6.8mOhm @ 15A, 10V 3.4mOhm @ 23A, 10V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric MT
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.9W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V 45 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 63 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ SQ DIRECTFET™ MT

IRF6611TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6611TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6611TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF6611(TR)PbF.pdf

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