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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6613TR1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF6613TR1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6613TR1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6613TR1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MT
Datenblatt
IRF6613.pdf
vorrätig: 4450

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Anzahl

Spezifikation

IRF6613TR1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6613TR1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6613TR1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MT  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MT  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5950 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 150A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6613TR1.

Produkteigenschaften IRF6613TR1 IRF6616TRPBF IRF6612TR1 IRF6611TRPBF
Artikelnummer IRF6613TR1 IRF6616TRPBF IRF6612TR1 IRF6611TRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 23A, 10V 5mOhm @ 19A, 10V 3.3mOhm @ 24A, 10V 2.6mOhm @ 27A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 150A (Tc) 19A (Ta), 106A (Tc) 24A (Ta), 136A (Tc) 32A (Ta), 150A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 30 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 45 nC @ 4.5 V 56 nC @ 4.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5950 pF @ 15 V 3765 pF @ 20 V 3970 pF @ 15 V 4860 pF @ 15 V

IRF6613TR1 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6613TR1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6613TR1 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF6613.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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