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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6645TRPBF
Infineon Technologies
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IRF6645TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6645TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6645TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric SJ
Datenblatt
IRF6645(TR)PbF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59170

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Spezifikation

IRF6645TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6645TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6645TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SJ  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SJ  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.7A (Ta), 25A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF6645  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6645TRPBF.

Produkteigenschaften IRF6645TRPBF IRF6643TR1PBF IRF6646TR1PBF IRF6643TRPBF
Artikelnummer IRF6645TRPBF IRF6643TR1PBF IRF6646TR1PBF IRF6643TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 150 V 80 V 150 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.7A (Ta), 25A (Tc) 6.2A (Ta), 35A (Tc) 12A (Ta), 68A (Tc) 6.2A (Ta), 35A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 25 V 2340 pF @ 25 V 2060 pF @ 25 V 2340 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.7A, 10V 34.5mOhm @ 7.6A, 10V 9.5mOhm @ 12A, 10V 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SJ DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MZ
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SJ DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MZ
Grundproduktnummer IRF6645 - - IRF6643
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)

IRF6645TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6645TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6645TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Add 26/Feb/2021.pdf
HTML -Datenblatt
IRF6645(TR)PbF.pdf

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