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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6648TR1
Infineon Technologies
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IRF6648TR1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6648TR1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6648TR1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MN
Datenblatt
IRF6648TR1.pdf
vorrätig: 4580

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Spezifikation

IRF6648TR1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6648TR1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6648TR1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MN  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 86A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6648TR1.

Produkteigenschaften IRF6648TR1 IRF6648TRPBF IRF6646TRPBF IRF6665
Artikelnummer IRF6648TR1 IRF6648TRPBF IRF6646TRPBF IRF6665
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 80 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 86A (Tc) 86A (Tc) 12A (Ta), 68A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V 7mOhm @ 17A, 10V 9.5mOhm @ 12A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric SH
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA 5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ SH
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V 2120 pF @ 25 V 2060 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V

IRF6648TR1 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6648TR1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6648TR1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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