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IRF7306TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7306TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7306TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7306TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 63300

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Anzahl

Spezifikation

IRF7306TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7306TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7306TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF73  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7306TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7306TRPBF IRF7307QTRPBF IRF7304TR IRF7306TR
Artikelnummer IRF7306TRPBF IRF7307QTRPBF IRF7304TR IRF7306TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer IRF73 IRF73 IRF73 -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A 5.2A, 4.3A 4.3A 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V 660pF @ 15V 610pF @ 15V 440pF @ 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 20nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 25nC @ 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung - max 2W 2W 2W 2W (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 30V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA

IRF7306TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7306TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7306TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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